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Descrição

Transistores bipolares de junção - BJT 100mA 80V NPN.

Fabricante: ON Semiconductor

Estilo de montagem: SMD/SMT

Caixa / Gabinete: SOT-23-3

Polaridade do transistor: NPN

Configuração: Single

Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 65 V

Coletor VCBO de voltagem básica: 80 V

Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V

Tensão de saturação do coletor - emissor: 0.6 V

Corrente do coletor DC máxima: 0.1 A

Produto fT da largura de banda de ganho: 100 MHz

Temperatura operacional máxima: + 150 C

Tensão do coletor contínua: 0.1 A

Coletor DC/Ganho base hfe Min: 200

Temperatura operacional mínima: - 55 C

Pd - Dissipação de potência: 225 mW