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Descrição

Transistor IBGT Canal N (MOS) 

Transistor Iso-Gate | TO-218 AB

IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated)

Maximum Ratings:

Collector-emitter voltage | VCE: 1000V

Collector-gate voltage RGE = 20 k? | VCGR: 1000V

Gate-emitter voltage | VGE: ± 20V

Power dissipation TC = 25 °C | Ptot: 310W

DC collector current | IC: TC = 25 °C: 35A | TC = 90 °C: 23A